Samsung приступила к производству чипов памяти плотностью 4 Gb

 

Компания Samsung сообщила сегодня о начале серийного производства модулей оперативной памяти для мобильных устройств плотностью 4 Gb. Речь идет о низковольтажных чипах DDR2 (или LPDDR2), производимых по 30-нанометровому техпроцессу. Они позволят создавать еще более легкие и тонкие смартфоны, планшеты и иные мобильные устройства.

Скорость передачи данных в новых чипах достигает 1066 Mb/s, что более чем в два раза превышает скорость передачи данных в использующихся на данный момент чипах (обычно 333 или 400 Mb/s). Кроме того, большая плотность в сравнении с памятью предыдущего поколения (2 Mb) позволила сделать новые чипы примерно на 20% меньше и на 25% экономичнее в плане энергопотребления.

Samsung отгрузит первые модули памяти объемом 1 GB, произведенные по новой технологии, до конца марта, а уже в апреле заказчики смогут получить модули объемом 2 GB.